HPC（High Performance Compact）和HPC+（High Performance Compact Plus）則是台積電最近兩三年才興起的兩種新工藝，后者代表作為聯發科最新中端級別處理器Helio P10。 HPC+相比HPC在同等漏電率下性能提升15%，換句話說，在同等性能下功耗降低30-50%。

　　金立S8（Helio P10）

　　20/22nm

　　無論是PC還是手機處理器，這個工藝節點的芯片很快就退出了歷史舞台，被14/16nm處理器搶佔市場。PC領域的Intel雖然很早就量產了這個節點的處理器，但是因為Tick-Tock定律的驅使，使用了兩代處理器（IvyBridge和Haswell）就開始進入14/16nm時代。由於對手AMD的工藝制程（28/32nm）停滯不前，加上光刻技術並沒有取得重大突破，同時如今PC市場也並不需要換代換得那麼頻繁，多方面因素作用下，最終讓Intel的“Tick-Tock”定律在14/16nm這一代節點上慢下來，更加襯托出20/22nm這一代產品持續時間並不長。

　　手機處理器方面也一樣，20/22nm制程節點上，台積電用了足足幾年時間才克服漏電率和產能的問題，直到如今還依然不能夠全面供貨給Nvidia、AMD、Qualcomm、聯發科這些昔日的合作伙伴，據外媒報道，台積電對外宣傳指20nm的SoC並不適合用在PC領域的芯片上，所以顯卡領域才那麼久沒有更新20nm制程，停留在28nm那麼多年。事實是否如此？誰知道呢？Qualcomm和聯發科能夠用上20nm的處理器也屈指可數，驍龍810、驍龍808和命途多舛的Helio X20。外界也有聲音稱20nm的SoC漏電率一直很嚴重，導致Qualcomm和聯發科兩位客戶一直都不太滿意，但是蘋果A8和蘋果A8X很早就用上了台積電20nm SoC工藝，也沒見iPhone 6和iPhone 6 Plus上面出現什麼致命的功耗發熱問題，別有內情吧，呵呵！

　　全球首款搭載驍龍808智能機——LG G4

　　三星在20/22nm上兩款經典處理器為Exynos 5430和Exynos 7（7410），也就是分別搭載在三星Galaxy Alpha和三星Note 4上面的兩顆處理器，三星也是從這個時候開始趕上台積電和Intel，不久后和台積電、Intel同時邁進14/16nm工藝制程節點。

　　三星Note 4（Exynos 7系處理器）

　　值得一提的是，在20/22nm工藝節點上，Intel引入了3D FinFET這種技術，三星和台積電在14/16nm節點上也大范圍用上了類似的FinFET技術。下面我們統稱為FinFET。

　　FinFET（Fin Field-Effect Transistor）根據百度百科定義，稱為鰭式場效應晶體管，是一種新的互補式金氧半導體（CMOS）晶體管。以前也和各位讀者介紹過，其實就是把芯片內部平面的結構變成了3D，降低漏電率同時又能夠增加晶體管空間利用率，當然，實際情況比較復雜，這裡不詳細展開了。

　　14/16nm

　　由於上文提到的歷史原因，20/22nm並沒有什麼工藝分類，很快就被14/16nm取代了，台積電採用了16nm，三星和Intel採用了14nm。

　　Intel的Broadwell、Skylake和Kaby Lake（將會延期上市）三代PC處理器架構都採用了14nm工藝。

　　三星已經發展了兩代14nm工藝，第一代就是用在Exynos 7420和蘋果A9上面的FinFET LPE（Low Power Early），第二代則是用在Exynos 8890、驍龍820和發布不久的驍龍625上面的FinFET LPP（Low Power Plus）。

　　樂MaxPro（全球首款搭載驍龍820手機）

　　台積電經歷了20/22nm的挫折之后，在16nm節點雄起，不知不覺發布了三種工藝分類，最早出現在蘋果A9上面的是第一代FinFET，接著就是麒麟950上面FF+（FinFET Plus）和近日發布的Helio P20上面搭載的FFC（FinFET Plus Compact）。

　　華為Mate 8（麒麟950）

　　至此，本文關於工藝分類的內容已經介紹完畢，接著解決一下上文的一些尾巴，簡單補充說明一些術語。

　　<上一頁123下一頁>

分享讓更多人看到