UFS 3.0快到原地飞起 关于存储的二三事

2018年02月09日08:48  来源:中关村在线
 
原标题:UFS 3.0快到原地飞起 关于存储的二三事

  不同类型的存储价格差异大吗?

  既然UFS存储的性能这么牛X,那是不是比eMMC贵上很多?还真不是,其原因要从存储芯片的封装说起。

UFS 3.0快到原地飞起 关于存储的二三事

  不同标准的存储价格(数据来源全球半导体观察网)

  我们提及存储时,都在说有多大多大容量,事实上,手机储存容量、固态硬盘、U盘和SD卡等使用的都是一种叫做NAND的储存介质,NAND闪存是一种非易失性存储技术,即断电后仍能保存数据。我们刚才所说的存储,都是在NAND存储芯片的基础上,再加上了控制芯片,接入标准接口,进行标准封装而成的。

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  这样封装的好处就在于可以使结构高度集成化,而且当手机客户选用封装好的存储芯片进行手机硬件堆叠时,不需要处理其它繁琐的NAND Flash兼容性和管理问题。

  之前苹果的存储内存混用一事闹得沸沸扬扬,其原因就在于NAND闪存颗粒也有不同。根据单元存储密度的差异,闪存分为SLC、MLC、TLC三种类型:

  SLC(单层式存储),单层电子结构,写入数据时电压变化区间小,寿命长,读写次数在10万次以上,但造价高。

  MLC(多层式存储),使用高低电压构建的双层电子结构,寿命长,造价可接受,读写次数在5000左右。

  TLC(三层式存储),是MLC闪存延伸,存储密度最高,容量是MLC的1.5倍。 造价成本最低,但使命寿命低,读写次数在1000~2000左右。

  所以,采用eMMC和UFS标准虽然对价格有一定影响,但并不是所有原因,还要看闪存颗粒的类型。据悉,采用UFS3.0标准的存储芯片价格会更高一些。当然,苹果的NVMe接口协议的存储芯片价格也不低。

(责编:赵超、杨虞波罗)