不同類型的存儲價格差異大嗎？

　　既然UFS存儲的性能這麼牛X，那是不是比eMMC貴上很多？還真不是，其原因要從存儲芯片的封裝說起。

　　不同標准的存儲價格（數據來源全球半導體觀察網）

　　我們提及存儲時，都在說有多大多大容量，事實上，手機儲存容量、固態硬盤、U盤和SD卡等使用的都是一種叫做NAND的儲存介質，NAND閃存是一種非易失性存儲技術，即斷電后仍能保存數據。我們剛才所說的存儲，都是在NAND存儲芯片的基礎上，再加上了控制芯片，接入標准接口，進行標准封裝而成的。

　　這樣封裝的好處就在於可以使結構高度集成化，而且當手機客戶選用封裝好的存儲芯片進行手機硬件堆疊時，不需要處理其它繁瑣的NAND Flash兼容性和管理問題。

　　之前蘋果的存儲內存混用一事鬧得沸沸揚揚，其原因就在於NAND閃存顆粒也有不同。根據單元存儲密度的差異，閃存分為SLC、MLC、TLC三種類型：

　　SLC（單層式存儲），單層電子結構，寫入數據時電壓變化區間小，壽命長，讀寫次數在10萬次以上，但造價高。

　　MLC（多層式存儲），使用高低電壓構建的雙層電子結構，壽命長，造價可接受，讀寫次數在5000左右。

　　TLC（三層式存儲），是MLC閃存延伸，存儲密度最高，容量是MLC的1.5倍。 造價成本最低，但使命壽命低，讀寫次數在1000~2000左右。

　　所以，採用eMMC和UFS標准雖然對價格有一定影響，但並不是所有原因，還要看閃存顆粒的類型。據悉，採用UFS3.0標准的存儲芯片價格會更高一些。當然，蘋果的NVMe接口協議的存儲芯片價格也不低。

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