韩企全球首造72层3D NAND芯片 下半年或量产

王晨

2017年04月11日08:37  来源:环球网
 
原标题:韩企全球首造72层3D NAND芯片 下半年或量产

  【环球科技综合报道 实习记者 王晨】据韩联社4月10日报道,韩国半导体企业SK海力士当天宣布,研发出全球首款256Gb的第4代72层3D NAND Flash,预计2017年下半年量产。

  NAND Flash闪存供应商为满足客户不断增加的储存空间需求,正不断强化3D堆叠设计,提升NAND Flash的储存密度。虽然韩国三星电子和日本东芝已量产3D NAND Flash,但仅堆叠64层,而SK海力士此次研发出的3D NAND Flash达到72层,这3家公司NAND Flash的容量相同,均为256Gb。

  SK海力士从2016年第2季度起量产36层3D NAND Flash(128Gb)、同年11月开始量产48层3D NAND Flash(256Gb)。该公司一位负责人表示,成功研发出72层3D NAND Flash,意味着SK海力士已掌握行业内最顶尖技术。

  由人工智能、大数据等信息科技引领的第四次工业革命方兴未艾,3D NAND Flash的需求将迎井喷式增长。韩国市场调查机构Gartner公布的数据显示,2017年全球NAND Flash市场规模将达465亿美元,到了2021年,其规模有望达到565亿美元。

(责编:沈光倩、杨波)

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