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外媒猜測三星Galaxy S9押注快充技術

2017年12月12日15:12 | 來源:環球網
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原標題:外媒猜測三星Galaxy S9押注快充技術

  據外媒12月11日報道,如今,我們越來越不在乎智能手機續航時間,而越發關注手機充電速度。考慮到智能手機設計近年已經到達一個頂峰,電池大小應該不會有太大變化。新一批智能手機比2017年已經面市的那批更加高效節能,也更關注電池快充技術。Galaxy S9就是其中一款。

  上周,移動芯片制造商高通公布了更多有關驍龍845的細節,明年很多智能機和筆記本都會用上驍龍845處理器,包括三星Galaxy S9 及后繼推出的產品。驍龍845支持快充,官方稱其為QC 4+,這是驍龍845主要特色之一。

  但據外國媒體透露,三星Galaxy S9不會使用QC 4+,因為這款手機部分將搭載Exynos 9810 芯片。三星目前使用的是自適應快速充電技術,不論使用芯片不同,都能提供相同的充電速度。當然三星也不會忽視高通的快充技術,因為三星Galaxy S9的很多對手都會搭載驍龍845處理器。高通表示,QC 4+技術充電速度提升15%,功耗方面降低了30%,手機溫度降低3攝氏度。

  三星並沒有透露Exynos 9810 芯片的所有細節,目前隻能期望該款芯片在快充方面有自己的殺手锏。

  (實習編譯:萬彤 審稿:李宗澤)

(責編:趙超、楊波)

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