據台灣“中央社”11月20日報道，iPhone X開賣不久，市場已將目光轉向明年新iPhone。外媒引述分析師預估，明年新iPhone將具備SIM卡雙卡雙待（DSDS）功能，LTE傳輸速度可大幅提升，英特爾或成基頻芯片大贏家。

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　　國外科技網站MacRumors引述凱基投顧分析師郭明池報告指出，蘋果2018年推出新一代iPhone機種，將搭配英特爾或高通(Qualcomm)新一代基頻芯片，可讓新一代iPhone的LTE傳輸速度更佳。

　　新iPhone的LTE芯片可支持4x4多入多出(MIMO)天線技術，今年9月新推出的iPhone，支持2x2的MIMO天線規格，郭明池認為這將大幅提升明年下半年新款iPhone在LTE傳輸速度。報道引述郭明錤報告預估，英特爾提供的基頻芯片，將佔明年新款iPhone所需70%到80%比重，甚至更高。

　　郭明池預期明年新款iPhone將進一步支持雙卡雙待DSDS(dual-SIM dual standby)功能，預期能具備LTE+LTE連結。這意味新款iPhone內建的2張SIM卡，可通過一組芯片同時運作。

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